Fotodiodă 32μm 10G InGaAs TO46

 

 

• Recepție ridicată (mai mare sau egală cu 0,7 A/W): Asigură o conversie eficientă a semnalului, reducând consumul de energie pentru producția de-module optice la scară largă-ideal pentru cumpărătorii angro de fotodiodă InGaAs TO46 concentrați pe eficiența energetică.

• Curent de întuneric scăzut (mai mic sau egal cu 1nA la 5V): Minimizează zgomotul semnalului, esențial pentru aplicațiile de telecomunicații și de detectare de{0}}înaltă precizie. Acest avantaj scade ratele de eșec pentru implementările în bloc.

• Capacitate scăzută (mai mică sau egală cu 0,25 pF): Permite o performanță stabilă a lățimii de bandă 10G, îndeplinind cerințele de viteză ale modulelor 10G SFP+ și ale rețelelor de centre de date.

• Sudura cu laser și pachet TO-CAN: Îmbunătățește stabilitatea mecanică și rezistența termică (-40~85 grade temperatura de funcționare), asigurând o durată de viață lungă (mai mare sau egală cu 50.000 de ore) și reducând costurile de înlocuire pentru clienții cu fotodiode InGaAs achiziționate în vrac.

• Pierdere redusă de retur (mai mare sau egală cu 35 dB): Reduce reflexia semnalului, îmbunătățind integritatea sistemului-esențială pentru proiectele de infrastructură de telecomunicații.

 

 

• Rețele de telecomunicații: Compatibil cu sistemele SDH/SONET, care acceptă-recepție de semnal de mare viteză în-legături de fibră optică-perfectă pentru fiabilitate Fotodiodă InGaAs de 32 μm pentru achiziții de telecomunicații.

• Module optice 10G SFP+: Folosit în transceiverele din centrele de date pentru a converti semnalele optice în semnale electrice, cu o capacitate scăzută (mai mică sau egală cu 0,25 pF) asigurând pierderi minime de semnal.

• Detecție prin fibră optică: Ideal pentru sistemele industriale de detectare (de exemplu, distanță laser, monitorizare a temperaturii) datorită lungimii de undă mari de operare (1100-1650nm) și curentului de întuneric scăzut.

• Automatizare industrială: Integrat în echipamentele de comunicații optice pentru automatizarea fabricii, unde durata lungă de funcționare (prin sudare cu laser) reduce costurile de întreținere pentru cumpărătorii angro de fotodiodă InGaAs TO46.

 

Unități de vânzare	Un singur articol
Dimensiunea pachetului unic	20X15X5 cm (Ambalaj flexibil, potrivit pentru transport internațional)
Greutate brută unică	0,250 KG

Cantitate (bucati)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Timp de livrare (zile)	14	20	30	De negociat

Oferim soluții personalizate InGaAs Photodiode ODM pentru a se potrivi cerințelor dumneavoastră specifice:

• Parametri personalizabili: Diametrul zonei fotosensibile (32μm/50μm/75μm), tipul pachetului (TO46/TO56), lungimea cablului și designul lentilei.

• Ciclul de dezvoltare: 7-15 zile (prima eșantion; producția în vrac începe după aprobarea probei).

 

Parametru	Simbol	Min.	Tip	Max.	Unitate
Puterea de saturație	Ps	3	-	-	dBm
Curent direct	Dacă	-	-	10	mA
Tensiune inversor	Vr	-	5	15	V
Temperatura carcasei de operare	Top	-40	-	85	grad
Temperatura de depozitare	Tstg	-40	-	85	grad
Lipirea cu plumb (temperatura/timp)	-	-	260/10	-	grad /Sec

 

Parametru	Simbol	Min.	Tip	Max.	Unitate	Condiție de testare
Lungimea de undă de operare	λ	1100	-	1650	nm
Responsabilitate	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310nm
Curent întunecat	Id	-	0.2	1	N / A	Vr=5V
Capacitate	C	-	-	0.25	pF	Vr=5V,f{=1MHz, carcasa deschisă
Lățimea de bandă	Bw	10	-	-	GHz	Vr=5V, sarcină 50 cu lungimea plumbului=6mm, carcasa deschisă
Pierderea returului optic	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

Tag-uri populare: 32μm 10g fotodiodă ingaas to46, China 32μm 10g fotodiodă ingaas to46 producători, furnizori, fabrică